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美否决华企收购飞利浦子公司 忧中国改进雷达军事天地

时间:2016-02-22 14:01:46 来源:锻军网 我要评论
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而在2016年1月下旬,美国外商投资委员会否决了中国投资者以29亿收购飞利浦旗下子公司的照明业务的提议,就是美国政府担忧的具体体现。

  2月5日,《纽约时报》刊登题为《美国对中国芯片雄心的担忧与日俱增》的文章,文章中称,“中国正投入巨资打造本国半导体产业,这一提升其军事力量及本土科技产业的举动引起华盛顿的注意”。而在2016年1月下旬,美国外商投资委员会否决了中国投资者以29亿收购飞利浦旗下子公司的照明业务的提议,就是美国政府担忧的具体体现。这早已不是第一次中资收购国外科技公司被美国政府阻扰,从早些年华为试图收购3COM,到去年紫光提出收购镁光被否决,中资在海外收购科技公司被行政力量阻挠已经屡见不鲜。

  美国为何阻挠收购

  美国政府要阻止的并非中国投资人所收购的照明业务本身,而是要阻止中国投资人通过收购飞利浦旗下子公司的照明业务后,进而掌握第三代半导体材料氮化镓的相关技术。

  半导体材料发展至今已历三代:第一代半导体材料以锗和硅为代表,被广泛运用于集成电路制造领域;第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表,主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统;第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、金刚石为代表,具有具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、高熔点(1700摄氏度)、耐腐蚀等优点。特别是在传统材料的功率器件发展到材料极限,已经很难满足高频、高温、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情况下,氮化镓则可凭借其材料特性,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面取而代之。

  也正是因此,诸多科技公司纷纷致力于氮化镓功率器件的研发和生产——2015年1月,富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件;2015年3月,松下和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议;同月,东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡……国内也有中航微电子、中镓半导体等公司从事该领域的研发和生产,上海市政府则投入100亿资金用于半导体材料的研发(不局限于氮化镓)。

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